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國內領先 國際一流的單晶硅片生產制造

Leading domestic first-class single-chip silicon
wafer manufacturing

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區熔單晶硅片

閱讀次數:2279     發布時間:2016-12-07

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區熔單晶硅片

根據客戶的需要公司可提供用于制作高反壓器件、光電子器件的本征高阻區熔單晶硅片;用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶體管(GTR)、晶閘管(GRO)、靜電感應晶閘管(SITH)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、超高壓二極管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等半導體器件需要的中子輻照區熔單晶硅片、氣相摻雜區熔單晶硅片、直拉區熔單晶硅片。

規格:

產品類型

導電類型

晶向

直徑(mm)

電阻率(Ω?cm)

厚度(μm)

本征高阻區熔單晶硅片

(FZ)

N&P

<100><110><111>

40-150

>100

≥160

中子輻照區熔單晶硅片

(NTDFZ)

N

<100><110><111>

40-150

30-800

≥160

氣相摻雜區熔單晶硅片

(GDFZ)

N&P

<100><110><111>

76.2-150

0.001-50

≥160

直拉區熔單晶硅片

(CFZ)

N&P

<100><110><111>

76.2-150

1-50

≥160


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